市場(chǎng)占有率證明：2024年我國半導(dǎo)體掩模版行業(yè)發(fā)展分析及上下游市場(chǎng)全景調(diào)研-中金企信發(fā)布
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報(bào)告發(fā)布方：中金企信國際咨詢《銷量認(rèn)證：半導(dǎo)體掩模版全球及中國企業(yè)市場(chǎng)占有率證明報(bào)告（2024版）-中金企信發(fā)布》
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（1）半導(dǎo)體掩模版邏輯工藝路線和特色工藝路線是半導(dǎo)體發(fā)展的兩大方向邏輯工藝路線和特色工藝路線是當(dāng)今半導(dǎo)體工藝兩大方向，代表了兩種產(chǎn)品性能提升的方式（線寬縮小與功能集成）。先進(jìn)邏輯工藝按照摩爾定律的規(guī)律，不斷追求工藝節(jié)點(diǎn)的縮小，從而滿足對(duì)于算力和速度提高的需求，以及功耗降低的需求；特色工藝路線是指以“超越摩爾定律（MorethanMoore）”為指導(dǎo)，不完全依賴縮小晶體管特征尺寸，而是通過聚焦新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件的研發(fā)創(chuàng)新與運(yùn)用，強(qiáng)調(diào)定制化和技術(shù)品類多元性的半導(dǎo)體晶圓制造工藝。
特色工藝通過持續(xù)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)與制造工藝，最大化發(fā)揮不同器件的物理特性來提升產(chǎn)品性能及可靠性。
先進(jìn)邏輯工藝與特色工藝并非是相互割裂、非此即彼的關(guān)系，隨著對(duì)半導(dǎo)體性能需求的不斷提升，先進(jìn)邏輯芯片也會(huì)采用優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)或集成其他工藝模塊的特色工藝技術(shù)來提升性能，如應(yīng)用于高性能CPU領(lǐng)域的3D封裝技術(shù)；特色工藝芯片也會(huì)通過適當(dāng)?shù)乜s小晶體管線寬來實(shí)現(xiàn)更高的單位性能和能耗比。以功率半導(dǎo)體為例，為了提高開關(guān)頻率和功率密度、降低功耗，功率半導(dǎo)體的制程工藝不斷進(jìn)步，從最初的10μm逐步縮小至目前主流的0.5μm-130nm左右；同時(shí)，在器件結(jié)構(gòu)改進(jìn)方面，功率器件經(jīng)歷了平面、溝槽、超級(jí)結(jié)等器件結(jié)構(gòu)的變化，進(jìn)一步提高了器件的功率密度和工作頻率；而在材料方面，新興的第三代半導(dǎo)體功率器件采用了碳化硅、氮化鎵材料，進(jìn)一步提升了器件的開關(guān)特性、降低了功耗，也優(yōu)化了其耐高溫、耐高壓特性。功率半導(dǎo)體在多年的發(fā)展中，將線寬縮小與結(jié)構(gòu)、材料優(yōu)化相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍。
由于摩爾定律不可避免地趨向物理極限，IC制造成本的不斷飆升使工藝尺寸的縮小變得愈發(fā)艱難。與開支大、折舊多、功能較為單一的邏輯工藝相比，特色工藝有著更強(qiáng)的盈利穩(wěn)定性和功能多樣性。因此，特色工藝路線是未來半導(dǎo)體制造發(fā)展的重要方向之一。
以臺(tái)積電為代表的先進(jìn)制程巨頭也在加快特色工藝布局，根據(jù)臺(tái)積電2022年技術(shù)論壇，臺(tái)積電特色工藝產(chǎn)能占臺(tái)積電成熟制程產(chǎn)能的比重將會(huì)從2018年的45%提升至2022年的63%，與2021年相比，2022年12寸晶圓的特色工藝產(chǎn)能會(huì)增長(zhǎng)14%；中芯國際也大力布局特色工藝，2018年中芯國際和紹興國資委等資本共同成立紹興中芯集成電路制造股份有限公司，專門面向MEMS、MOSFET和IGBT等特色工藝領(lǐng)域，致力于打造綜合性特色工藝基地。
（2）半導(dǎo)體受下游新興產(chǎn)業(yè)推動(dòng)，產(chǎn)線持續(xù)擴(kuò)張，帶來半導(dǎo)體掩模版的大量需求：作為半導(dǎo)體行業(yè)可重復(fù)使用的光刻模板，掩模版產(chǎn)品直接需求與半導(dǎo)體產(chǎn)品的更新迭代與產(chǎn)線擴(kuò)充息息相關(guān)。當(dāng)半導(dǎo)體產(chǎn)品持續(xù)推出新工藝、新結(jié)構(gòu)、新材料等新的芯片設(shè)計(jì)或者需要產(chǎn)線擴(kuò)充時(shí)，晶圓制造廠商需要使用新的掩模版來進(jìn)行半導(dǎo)體的大規(guī)模生產(chǎn)，此時(shí)就會(huì)產(chǎn)生開版需求。因此，掩模版的市場(chǎng)需求與半導(dǎo)體更新?lián)Q代、產(chǎn)線擴(kuò)充直接相關(guān)。
近年來受新能源汽車、光伏發(fā)電、工業(yè)自動(dòng)化、物聯(lián)網(wǎng)等下游新興產(chǎn)業(yè)推動(dòng)，以功率器件為代表的特色工藝半導(dǎo)體發(fā)展迅速，不斷進(jìn)行產(chǎn)品迭代，為半導(dǎo)體掩模版創(chuàng)造了大量的市場(chǎng)需求。以新能源汽車、光伏行業(yè)中的關(guān)鍵元件功率器件為例，根據(jù)中金企信統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2021年中國功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為711億元，預(yù)計(jì)2025年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至1,102億元，年平均復(fù)合增長(zhǎng)率為11.58%。國內(nèi)主要特色工藝晶圓廠均在積極擴(kuò)充產(chǎn)線，帶來國內(nèi)半導(dǎo)體掩模版的配套需求大幅增加。
上述終端行業(yè)的繁榮發(fā)展推動(dòng)了半導(dǎo)體產(chǎn)線的持續(xù)擴(kuò)張，相應(yīng)持續(xù)帶來對(duì)配套掩模版的大量需求，未來半導(dǎo)體掩模版市場(chǎng)空間廣闊。
（3）特色工藝半導(dǎo)體受下游功能需求驅(qū)動(dòng)，不斷進(jìn)行產(chǎn)品更新迭代，帶來半導(dǎo)體掩模版的大量需求：特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)品隨著下游應(yīng)用的功能需求不斷進(jìn)行更新迭代。以新能源汽車為例，隨著電動(dòng)汽車的續(xù)航不斷提升，動(dòng)力電池能量密度、充電模組的功率越來越高，而單個(gè)車輛對(duì)半導(dǎo)體的數(shù)量、體積等因素有一定的約束，因此功率半導(dǎo)體的功率密度、單位性能也要求越來越高。功率半導(dǎo)體必須通過結(jié)構(gòu)、制程、技術(shù)、工藝、集成度、材料等方面的不斷進(jìn)步，來實(shí)現(xiàn)功率密度及單位性能的提升。
半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)、制程、技術(shù)、工藝、集成度、材料每發(fā)生一次迭代，就需要更換一套新的半導(dǎo)體掩模版。因此，在當(dāng)前新興行業(yè)的不斷驅(qū)動(dòng)下，功率半導(dǎo)體等半導(dǎo)體產(chǎn)品持續(xù)進(jìn)行更新迭代，帶來了大量的特色工藝半導(dǎo)體掩模版需求。
（4）半導(dǎo)體掩模版迎來國產(chǎn)替代機(jī)遇：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，也是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的支柱性產(chǎn)業(yè)，在實(shí)現(xiàn)制造業(yè)升級(jí)、保障國家安全等方面發(fā)揮著重要的作用，在當(dāng)前貿(mào)易摩擦、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆全球化的背景下，加速進(jìn)口替代已上升到國家戰(zhàn)略高度。我國政府從財(cái)政、稅收、技術(shù)、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)等多個(gè)方面對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及其關(guān)鍵材料給予了政策支持，為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造了良好的經(jīng)營(yíng)環(huán)境，有力地推動(dòng)了我國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
掩模版作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的上游核心材料，技術(shù)壁壘高，國內(nèi)自產(chǎn)率低，長(zhǎng)期依賴國外進(jìn)口，第三方半導(dǎo)體掩模版市場(chǎng)主要被美國Photronics、日本Toppan、日本DNP等國際掩模版巨頭所控制。隨著新能源汽車、光伏發(fā)電、自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)等新一輪科技逐漸走向產(chǎn)業(yè)化，未來十年中國半導(dǎo)體行業(yè)尤其是特色工藝半導(dǎo)體有望迎來進(jìn)口替代與成長(zhǎng)的黃金時(shí)期。在貿(mào)易摩擦等宏觀環(huán)境不確定性增加的背景下，作為半導(dǎo)體核心原材料的國內(nèi)半導(dǎo)體掩模版行業(yè)發(fā)展迎來了歷史性的機(jī)遇。